Caractéristiques électriques du transistor 2SD1444A-P
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
Tension collecteur-base maximum: 50 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 7 A
Dissipation de puissance maximum: 30 W
Gain de courant (hfe): 130 à 260
Fréquence de transition minimum: 150 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SD1444A-P
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1444A-P peut avoir un gain en courant continu de 130 à 260. Le gain en courant continu du 2SD1444A est compris entre 60 à 260, celui du 2SD1444A-Q entre 90 à 180, celui du 2SD1444A-R entre 60 à 120.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1444A-P peut n'être marqué que D1444A-P.
Complémentaire du transistor 2SD1444A-P
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1444A-P est le 2SB953A-P.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1444A-P
