Transistor bipolaire 2SD1444A

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1444A

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
  • Tension collecteur-base maximum: 50 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 260
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SD1444A

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1444A peut avoir un gain en courant continu de 60 à 260. Le gain en courant continu du 2SD1444A-P est compris entre 130 à 260, celui du 2SD1444A-Q entre 90 à 180, celui du 2SD1444A-R entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1444A peut n'être marqué que D1444A.

Complémentaire du transistor 2SD1444A

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1444A est le 2SB953A.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1444A

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1444A par 2SD1271, 2SD866, BD201, BD203, BD301, BD303, BD533, BD535, BD537, BD543, BD543A, BD543B, BD545, BD545A, BD545B, BD795, BD797, BD799, BD807, BD809, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDX77, D44H11, D44H11FP ou D44H8.
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