Caractéristiques électriques du transistor 2SD1406-O
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
Tension collecteur-base maximum: 60 V
Tension émetteur-base maximum: 7 V
Courant collecteur continu maximum: 3 A
Dissipation de puissance maximum: 25 W
Gain de courant (hfe): 60 à 120
Fréquence de transition minimum: 3 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SD1406-O
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1406-O peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SD1406 est compris entre 60 à 300, celui du 2SD1406-G entre 150 à 300, celui du 2SD1406-Y entre 100 à 200.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1406-O peut n'être marqué que D1406-O.
Complémentaire du transistor 2SD1406-O
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1406-O est le 2SB1015-O.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1406-O