Transistor bipolaire 2SD1289-P

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1289-P

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 80 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 60 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du 2SD1289-P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1289-P peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du 2SD1289 est compris entre 60 à 320, celui du 2SD1289-Q entre 100 à 200, celui du 2SD1289-R entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1289-P peut n'être marqué que D1289-P.

Complémentaire du transistor 2SD1289-P

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1289-P est le 2SB966-P.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1289-P

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1289-P par 2SC2579, 2SC2580, 2SC2581, 2SC4278, 2SC4278-F, 2SC4652 ou 2SC4652-F.
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