Caractéristiques électriques du transistor 2SD1266-Q
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
Tension collecteur-base maximum: 60 V
Tension émetteur-base maximum: 6 V
Courant collecteur continu maximum: 3 A
Dissipation de puissance maximum: 35 W
Gain de courant (hfe): 70 à 150
Fréquence de transition minimum: 30 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SD1266-Q
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1266-Q peut avoir un gain en courant continu de 70 à 150. Le gain en courant continu du 2SD1266 est compris entre 70 à 320, celui du 2SD1266-O entre 160 à 320, celui du 2SD1266-P entre 120 à 250.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1266-Q peut n'être marqué que D1266-Q.
Complémentaire du transistor 2SD1266-Q
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1266-Q est le 2SB941-Q.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1266-Q