Transistor bipolaire 2SD1257-P

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 130 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 7 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 130 à 260
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-252

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SD1257-P peut avoir un gain en courant continu de 130 à 260. Le gain en courant continu du 2SD1257 est compris entre 60 à 260, celui du 2SD1257-Q entre 90 à 180, celui du 2SD1257-R entre 60 à 120.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1257-P peut n'être marqué que D1257-P.Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1257-P par 2SD1257A ou 2SD1257A-P.