Transistor bipolaire 2SD1256-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1256-Q

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 130 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 90 à 180
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252

Brochage du 2SD1256-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1256-Q peut avoir un gain en courant continu de 90 à 180. Le gain en courant continu du 2SD1256 est compris entre 60 à 260, celui du 2SD1256-P entre 130 à 260, celui du 2SD1256-R entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1256-Q peut n'être marqué que D1256-Q.

Complémentaire du transistor 2SD1256-Q

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1256-Q est le 2SB933-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1256-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1256-Q par 2SC3303, 2SD1257, 2SD1257-Q, 2SD1257A, 2SD1257A-Q ou KTC2022D.
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