Transistor bipolaire 2SD1250A-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1250A-Q

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -180 V
  • Tension collecteur-base maximum: -200 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 140
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252

Brochage du 2SD1250A-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1250A-Q peut avoir un gain en courant continu de 60 à 140. Le gain en courant continu du 2SD1250A est compris entre 60 à 240, celui du 2SD1250A-P entre 100 à 240.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1250A-Q peut n'être marqué que D1250A-Q.

Complémentaire du transistor 2SD1250A-Q

Le transistor NPN complémentaire du 2SD1250A-Q est le 2SB928A-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1250A-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1250A-Q par 2SB928A ou 2SB928A-Q.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com