Transistor bipolaire 2SD1250-P
Caractéristiques électriques du transistor 2SD1250-P
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
- Tension collecteur-base maximum: -200 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -2 A
- Dissipation de puissance maximum: 30 W
- Gain de courant (hfe): 100 à 240
- Fréquence de transition minimum: 20 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-252
Brochage du 2SD1250-P
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SD1250-P
Version SMD du transistor 2SD1250-P
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1250-P
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