Transistor bipolaire 2SD1250

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1250

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
  • Tension collecteur-base maximum: -200 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252

Brochage du 2SD1250

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1250 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 240. Le gain en courant continu du 2SD1250-P est compris entre 100 à 240, celui du 2SD1250-Q entre 60 à 140.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1250 peut n'être marqué que D1250.

Complémentaire du transistor 2SD1250

Le transistor NPN complémentaire du 2SD1250 est le 2SB928.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1250

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1250 par 2SB928, 2SB928A ou 2SD1250A.
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