Transistor bipolaire 2SD1220

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1220

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
  • Tension collecteur-base maximum: 150 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-251

Brochage du 2SD1220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1220 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 320. Le gain en courant continu du 2SD1220-O est compris entre 100 à 200, celui du 2SD1220-R entre 60 à 120, celui du 2SD1220-Y entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1220 peut n'être marqué que D1220.

Complémentaire du transistor 2SD1220

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1220 est le 2SB905.

Version SMD du transistor 2SD1220

Le FMMT625 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SD1220.
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