Caractéristiques électriques du transistor 2SD1133-C
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
Tension collecteur-base maximum: 70 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 4 A
Dissipation de puissance maximum: 40 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 7 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -45 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SD1133-C
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1133-C peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD1133 est compris entre 60 à 320, celui du 2SD1133-B entre 60 à 120, celui du 2SD1133-D entre 160 à 320.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1133-C peut n'être marqué que D1133-C.
Complémentaire du transistor 2SD1133-C
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1133-C est le 2SB857-C.
Version SMD du transistor 2SD1133-C
Le NZT560 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD1133-C.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1133-C