Transistor bipolaire 2SD1065

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1065

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 90 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 280
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du 2SD1065

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1065 peut avoir un gain en courant continu de 70 à 280. Le gain en courant continu du 2SD1065-Q est compris entre 70 à 140, celui du 2SD1065-R entre 100 à 200, celui du 2SD1065-S entre 140 à 280.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1065 peut n'être marqué que D1065.

Complémentaire du transistor 2SD1065

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1065 est le 2SB829.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1065

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1065 par 2SC3256, BD245A, BD245B, BD245C, BD249A, BD249B, BD249C ou TIP35CA.
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