Transistor bipolaire 2SC2681-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SC2681-Q

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 115 V
  • Tension collecteur-base maximum: 115 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 80 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SC2681-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SC2681-Q peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SC2681 est compris entre 60 à 200, celui du 2SC2681-R entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SC2681-Q peut n'être marqué que C2681-Q.

Complémentaire du transistor 2SC2681-Q

Le transistor PNP complémentaire du 2SC2681-Q est le 2SA1141-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SC2681-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SC2681-Q par 2SD1716 ou 2SD1716-P.
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