Caractéristiques électriques du transistor 2SC1008R
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
Tension collecteur-base maximum: 80 V
Tension émetteur-base maximum: 8 V
Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
Gain de courant (hfe): 40 à 80
Fréquence de transition minimum: 30 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SC1008R
Le 2SC1008R est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SC1008R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SC1008 est compris entre 40 à 400, celui du 2SC1008G entre 200 à 400, celui du 2SC1008O entre 70 à 140, celui du 2SC1008Y entre 120 à 240.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SC1008R peut n'être marqué que C1008R.
Complémentaire du transistor 2SC1008R
Le transistor PNP complémentaire du 2SC1008R est le 2SA708R.
