Transistor bipolaire 2SB935A-P
Caractéristiques électriques du transistor 2SB935A-P
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
- Tension collecteur-base maximum: -50 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -10 A
- Dissipation de puissance maximum: 35 W
- Gain de courant (hfe): 130 à 260
- Fréquence de transition minimum: 150 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-252
Brochage du 2SB935A-P
Classification de hFE
Marquage
Version SMD du transistor 2SB935A-P
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB935A-P
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