Transistor bipolaire 2SB930-P
Caractéristiques électriques du transistor 2SB930-P
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
- Tension collecteur-base maximum: -60 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -4 A
- Dissipation de puissance maximum: 40 W
- Gain de courant (hfe): 120 à 250
- Fréquence de transition minimum: 20 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-252
Brochage du 2SB930-P
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SB930-P
Version SMD du transistor 2SB930-P
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB930-P
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com