Transistor bipolaire 2SB906-O

Caractéristiques électriques du transistor 2SB906-O

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 9 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252

Brochage du 2SB906-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB906-O peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB906 est compris entre 60 à 200, celui du 2SB906-Y entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB906-O peut n'être marqué que B906-O.

Complémentaire du transistor 2SB906-O

Le transistor NPN complémentaire du 2SB906-O est le 2SD1221-O.
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