Transistor bipolaire 2SB906-O
Caractéristiques électriques du transistor 2SB906-O
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
- Tension collecteur-base maximum: -60 V
- Tension émetteur-base maximum: -7 V
- Courant collecteur continu maximum: -3 A
- Dissipation de puissance maximum: 20 W
- Gain de courant (hfe): 60 à 120
- Fréquence de transition minimum: 9 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-252
Brochage du 2SB906-O
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SB906-O
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