Transistor bipolaire 2SB768-M
Caractéristiques électriques du transistor 2SB768-M
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
- Tension collecteur-base maximum: -200 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -2 A
- Dissipation de puissance maximum: 2 W
- Gain de courant (hfe): 40 à 80
- Fréquence de transition minimum: 10 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-252
Brochage du 2SB768-M
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SB768-M
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com