Transistor bipolaire 2SB768-M

Caractéristiques électriques du transistor 2SB768-M

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -200 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 2 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252

Brochage du 2SB768-M

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB768-M peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SB768 est compris entre 40 à 200, celui du 2SB768-K entre 100 à 200, celui du 2SB768-L entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB768-M peut n'être marqué que B768-M.

Complémentaire du transistor 2SB768-M

Le transistor NPN complémentaire du 2SB768-M est le 2SD1033-M.
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