Transistor bipolaire 2SB731-E

Caractéristiques électriques du transistor 2SB731-E

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 360 à 600
  • Fréquence de transition minimum: 75 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB731-E

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB731-E peut avoir un gain en courant continu de 360 à 600. Le gain en courant continu du 2SB731 est compris entre 135 à 600, celui du 2SB731-F entre 300 à 480, celui du 2SB731-K entre 200 à 400, celui du 2SB731-L entre 135 à 270.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB731-E peut n'être marqué que B731-E.

Version SMD du transistor 2SB731-E

Le 2SB1115 (SOT-89), 2SB1115-YK (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), 2SB1122-U (SOT-89), 2STR2160 (SOT-23), FMMTA55 (SOT-23), KST55 (SOT-23), MMBTA55 (SOT-23), PZTA55 (SOT-223) et SMBTA55 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SB731-E.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB731-E

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB731-E par BD168, BD170, BD190, BD236, BD236G, BD238, BD238G, MJE235, MJE252, MJE254, MJE711 ou MJE712.
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