Transistor bipolaire 2SB716-E

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.05 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
• Gain de courant (h_fe): 400 à 800
• Fréquence de transition minimum: 150 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92MOD

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB716-E peut avoir un gain en courant continu de 400 à 800. Le gain en courant continu du 2SB716 est compris entre 250 à 800, celui du 2SB716-D entre 250 à 500.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB716-E peut n'être marqué que B716-E.Le transistor NPN complémentaire du 2SB716-E est le 2SD756-E.Le FJV992 (SOT-23) et FJV992-E (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SB716-E.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB716-E par 2SA1016K, 2SA1082, 2SA1082-E, 2SA1085, 2SA1085-E, 2SA1285, 2SA1285-G, 2SA1285A, 2SA872A, 2SA872A-E, 2SA992, 2SA992E, KSA992 ou KSA992E.