Transistor bipolaire 2SB560-G
Caractéristiques électriques du transistor 2SB560-G
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
- Tension collecteur-base maximum: -100 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.7 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
- Gain de courant (hfe): 280 à 560
- Fréquence de transition minimum: 100 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92MOD
Brochage du 2SB560-G
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SB560-G
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