Transistor bipolaire 2SB502A-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SB502A-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -110 V
  • Tension émetteur-base maximum: -10 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 25 W
  • Gain de courant (hfe): 30 à 70
  • Fréquence de transition minimum: 5 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-66

Brochage du 2SB502A-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB502A-R peut avoir un gain en courant continu de 30 à 70. Le gain en courant continu du 2SB502A est compris entre 30 à 280, celui du 2SB502A-O entre 50 à 140, celui du 2SB502A-Y entre 100 à 280.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB502A-R peut n'être marqué que B502A-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB502A-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB502A-R par 2N3741, 2N6314, 2N6372, 2N6467 ou 2N6468.
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