Transistor bipolaire 2SB1508-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1508-Q

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 45 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 140
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SB1508-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1508-Q peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du 2SB1508 est compris entre 70 à 280, celui du 2SB1508-R entre 100 à 200, celui du 2SB1508-S entre 140 à 280.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1508-Q peut n'être marqué que B1508-Q.

Complémentaire du transistor 2SB1508-Q

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1508-Q est le 2SD2281-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1508-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1508-Q par 2SB1509 ou 2SB1509-Q.
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