Transistor bipolaire 2SB1417A-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1417A-Q

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 15 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 150
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: MT-4

Brochage du 2SB1417A-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1417A-Q peut avoir un gain en courant continu de 70 à 150. Le gain en courant continu du 2SB1417A est compris entre 70 à 250, celui du 2SB1417A-P entre 120 à 250.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1417A-Q peut n'être marqué que B1417A-Q.

Complémentaire du transistor 2SB1417A-Q

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1417A-Q est le 2SD2137A-Q.

Version SMD du transistor 2SB1417A-Q

Le BDP952 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB1417A-Q.
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