Transistor bipolaire 2SB1417-P

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -3 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 120 à 250
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: MT-4

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1417-P peut avoir un gain en courant continu de 120 à 250. Le gain en courant continu du 2SB1417 est compris entre 70 à 250, celui du 2SB1417-Q entre 70 à 150.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1417-P peut n'être marqué que B1417-P.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1417-P est le 2SD2137-P.Le BDP950 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB1417-P.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1417-P par 2SB1417A ou 2SB1417A-P.