Transistor bipolaire 2SB1362

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1362

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
  • Tension collecteur-base maximum: -150 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -9 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du 2SB1362

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1362 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 200. Le gain en courant continu du 2SB1362-P est compris entre 100 à 200, celui du 2SB1362-Q entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1362 peut n'être marqué que B1362.

Complémentaire du transistor 2SB1362

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1362 est le 2SD2053.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1362

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1362 par 2SA1633, 2SB1162, 2SB1163, 2SB1361, MJW1302A ou MJW1302AG.
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