Transistor bipolaire 2SB1270
Caractéristiques électriques du transistor 2SB1270
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
- Tension collecteur-base maximum: -90 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -5 A
- Dissipation de puissance maximum: 30 W
- Gain de courant (hfe): 70 à 280
- Fréquence de transition minimum: 20 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-262
Brochage du 2SB1270
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SB1270
Version SMD du transistor 2SB1270
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1270
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