Transistor bipolaire 2SB1253-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1253-Q

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -110 V
  • Tension collecteur-base maximum: -130 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 50 W
  • Gain de courant (hfe): 8000 à 30000
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SB1253-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1253-Q peut avoir un gain en courant continu de 8000 à 30000. Le gain en courant continu du 2SB1253 est compris entre 5000 à 30000, celui du 2SB1253-P entre 5000 à 15000.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1253-Q peut n'être marqué que B1253-Q.

Complémentaire du transistor 2SB1253-Q

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1253-Q est le 2SD1893-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1253-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1253-Q par 2SB1254, 2SB1254-Q, 2SB1255, 2SB1255-Q ou 2SB1625.
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