Transistor bipolaire 2SB1253

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1253

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -110 V
  • Tension collecteur-base maximum: -130 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 50 W
  • Gain de courant (hfe): 5000 à 30000
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SB1253

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1253 peut avoir un gain en courant continu de 5000 à 30000. Le gain en courant continu du 2SB1253-P est compris entre 5000 à 15000, celui du 2SB1253-Q entre 8000 à 30000.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1253 peut n'être marqué que B1253.

Complémentaire du transistor 2SB1253

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1253 est le 2SD1893.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1253

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1253 par 2SB1254, 2SB1255 ou 2SB1625.
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