Transistor bipolaire 2SB1201-T

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1201-T

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 15 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-251

Brochage du 2SB1201-T

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1201-T peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du 2SB1201 est compris entre 100 à 560, celui du 2SB1201-R entre 100 à 200, celui du 2SB1201-S entre 140 à 280, celui du 2SB1201-U entre 280 à 560.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1201-T peut n'être marqué que B1201-T.

Complémentaire du transistor 2SB1201-T

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1201-T est le 2SD1801-T.

Version SMD du transistor 2SB1201-T

Le 2SB1115 (SOT-89), 2SB1115-YL (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), 2SB1122-T (SOT-89), 2SB1123 (SOT-89), 2SB1123-T (SOT-89) et 2STR2160 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SB1201-T.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1201-T

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1201-T par 2SA2039, 2SA2040, 2SA2169, 2SB1202, 2SB1202-T, 2SB1203, 2SB1203-T, 2SB1204 ou 2SB1204-T.
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