Transistor bipolaire 2SB1201

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1201

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 15 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 560
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-251

Brochage du 2SB1201

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1201 peut avoir un gain en courant continu de 100 à 560. Le gain en courant continu du 2SB1201-R est compris entre 100 à 200, celui du 2SB1201-S entre 140 à 280, celui du 2SB1201-T entre 200 à 400, celui du 2SB1201-U entre 280 à 560.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1201 peut n'être marqué que B1201.

Complémentaire du transistor 2SB1201

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1201 est le 2SD1801.

Version SMD du transistor 2SB1201

Le 2SB1122 (SOT-89) et 2SB1123 (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SB1201.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1201

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1201 par 2SB1202.
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