Transistor bipolaire 2SB1167-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1167-Q

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 140
  • Fréquence de transition minimum: 130 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB1167-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1167-Q peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du 2SB1167 est compris entre 70 à 400, celui du 2SB1167-R entre 100 à 200, celui du 2SB1167-S entre 140 à 280, celui du 2SB1167-T entre 200 à 400.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1167-Q peut n'être marqué que B1167-Q.

Complémentaire du transistor 2SB1167-Q

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1167-Q est le 2SD1724-Q.

Version SMD du transistor 2SB1167-Q

Le BDP954 (SOT-223) et BDP956 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB1167-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1167-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1167-Q par 2SB1168, 2SB1168-Q, BD792, MJE253, MJE253G ou MJE254.
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