Transistor bipolaire 2SB1158-Q

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -6 A
• Dissipation de puissance maximum: 70 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 120
• Fréquence de transition minimum: 20 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3PF

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1158-Q peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB1158 est compris entre 60 à 200, celui du 2SB1158-P entre 100 à 200, celui du 2SB1158-S entre 80 à 160.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1158-Q peut n'être marqué que B1158-Q.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1158-Q est le 2SD1713-Q.Le BDP956 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB1158-Q.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1158-Q par 2SA1673, 2SA1860, 2SA1908, 2SA1909, 2SA1987, 2SB1055, 2SB1055-Q, 2SB1056, 2SB1056-Q, 2SB1057, 2SB1057-Q, 2SB1159, 2SB1159-Q, 2SB1160, 2SB1160-Q, 2SB1161, 2SB1161-Q ou FJAF4210.