Transistor bipolaire 2SB1155-P

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -130 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 80 W
• Gain de courant (h_fe): 130 à 260
• Fréquence de transition minimum: 25 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3PF

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1155-P peut avoir un gain en courant continu de 130 à 260. Le gain en courant continu du 2SB1155 est compris entre 90 à 260, celui du 2SB1155-Q entre 90 à 180.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1155-P peut n'être marqué que B1155-P.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1155-P est le 2SD1706-P.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1155-P par 2SB1156 ou 2SB1156-P.