Transistor bipolaire 2SB1154-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1154-Q

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -130 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 70 W
  • Gain de courant (hfe): 90 à 180
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SB1154-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1154-Q peut avoir un gain en courant continu de 90 à 180. Le gain en courant continu du 2SB1154 est compris entre 60 à 260, celui du 2SB1154-P entre 130 à 260, celui du 2SB1154-R entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1154-Q peut n'être marqué que B1154-Q.

Complémentaire du transistor 2SB1154-Q

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1154-Q est le 2SD1705-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1154-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1154-Q par 2SA1141, 2SA1860, 2SA1860-Y, 2SA1909, 2SA1909-Y, 2SB1155, 2SB1155-Q, 2SB1156, 2SB1156-Q, 2SB1161, FJAF4210 ou FJAF4210Y.
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