Transistor bipolaire 2SB1056-P

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1056-P

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -140 V
  • Tension collecteur-base maximum: -140 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 80 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SB1056-P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1056-P peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB1056 est compris entre 40 à 200, celui du 2SB1056-Q entre 60 à 120, celui du 2SB1056-R entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1056-P peut n'être marqué que B1056-P.

Complémentaire du transistor 2SB1056-P

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1056-P est le 2SD1487-P.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1056-P

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1056-P par 2SB1057, 2SB1057-P, 2SB1159, 2SB1159-P, 2SB1160, 2SB1160-P, 2SB1161 ou 2SB1161-P.
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