Transistor bipolaire 2SA965-Y
Caractéristiques électriques du transistor 2SA965-Y
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
- Tension collecteur-base maximum: -120 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
- Gain de courant (hfe): 120 à 240
- Fréquence de transition minimum: 120 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92MOD
Brochage du 2SA965-Y
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SA965-Y
Version SMD du transistor 2SA965-Y
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