Transistor bipolaire 2SA885S

Caractéristiques électriques du transistor 2SA885S

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -35 V
  • Tension collecteur-base maximum: -45 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 5 W
  • Gain de courant (hfe): 170 à 340
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SA885S

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA885S peut avoir un gain en courant continu de 170 à 340. Le gain en courant continu du 2SA885 est compris entre 85 à 340, celui du 2SA885Q entre 85 à 170, celui du 2SA885R entre 120 à 240.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA885S peut n'être marqué que A885S.

Complémentaire du transistor 2SA885S

Le transistor NPN complémentaire du 2SA885S est le 2SC1846S.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA885S

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA885S par 2SA985S, 2SB1142, 2SB1143, 2SB1165, 2SB1166, 2SB731, 2SB986, BD132, BD166, BD168, BD188, BD190, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD376, BD376-25, BD378, BD378-25, MJE232, MJE235, MJE371, MJE371G, MJE710 ou MJE711.
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