Transistor bipolaire 2SA699A-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SA699A-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
  • Tension collecteur-base maximum: -50 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 220
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-202

Brochage du 2SA699A-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA699A-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 220. Le gain en courant continu du 2SA699A est compris entre 50 à 220, celui du 2SA699A-P entre 50 à 100, celui du 2SA699A-Q entre 80 à 160.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA699A-R peut n'être marqué que A699A-R.

Complémentaire du transistor 2SA699A-R

Le transistor NPN complémentaire du 2SA699A-R est le 2SC1226A-R.

Version SMD du transistor 2SA699A-R

Le 2DA1213 (SOT-89), 2SA1213 (SOT-89), 2SB1123 (SOT-89), 2SB1123-R (SOT-89), 2SB1124 (SOT-89) et 2SB1124-R (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SA699A-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA699A-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA699A-R par 2SA636, 2SA636A ou NTE187.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com