Transistor bipolaire 2SA699A-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SA699A-Q

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
  • Tension collecteur-base maximum: -50 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 80 à 160
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-202

Brochage du 2SA699A-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA699A-Q peut avoir un gain en courant continu de 80 à 160. Le gain en courant continu du 2SA699A est compris entre 50 à 220, celui du 2SA699A-P entre 50 à 100, celui du 2SA699A-R entre 100 à 220.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA699A-Q peut n'être marqué que A699A-Q.

Complémentaire du transistor 2SA699A-Q

Le transistor NPN complémentaire du 2SA699A-Q est le 2SC1226A-Q.

Version SMD du transistor 2SA699A-Q

Le 2DA1213 (SOT-89) et 2SA1213 (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SA699A-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA699A-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA699A-Q par 2SA636, 2SA636-L, 2SA636A ou 2SA636A-L.
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