Transistor bipolaire 2SA636A-K

Caractéristiques électriques du transistor 2SA636A-K

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -70 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 45 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-202

Brochage du 2SA636A-K

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA636A-K peut avoir un gain en courant continu de 120 à 250. Le gain en courant continu du 2SA636A est compris entre 40 à 250, celui du 2SA636A-L entre 80 à 160, celui du 2SA636A-M entre 50 à 100, celui du 2SA636A-N entre 40 à 60.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA636A-K peut n'être marqué que A636A-K.

Complémentaire du transistor 2SA636A-K

Le transistor NPN complémentaire du 2SA636A-K est le 2SC1098A-K.

Version SMD du transistor 2SA636A-K

Le NZT660 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SA636A-K.
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