Transistor bipolaire 2SA636-M

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
• Tension collecteur-base maximum: -70 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -3 A
• Dissipation de puissance maximum: 10 W
• Gain de courant (h_fe): 50 à 100
• Fréquence de transition minimum: 45 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-202

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SA636-M peut avoir un gain en courant continu de 50 à 100. Le gain en courant continu du 2SA636 est compris entre 40 à 250, celui du 2SA636-K entre 120 à 250, celui du 2SA636-L entre 80 à 160, celui du 2SA636-N entre 40 à 60.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA636-M peut n'être marqué que A636-M.Le transistor NPN complémentaire du 2SA636-M est le 2SC1098-M.Vous pouvez remplacer le transistor 2SA636-M par 2SA636A ou 2SA636A-M.