Transistor bipolaire 2SA499-O

Caractéristiques électriques du transistor 2SA499-O

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
  • Tension collecteur-base maximum: -50 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.25 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 250 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +175 °C
  • Boîtier: TO-18

Brochage du 2SA499-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA499-O peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SA499 est compris entre 60 à 200, celui du 2SA499-Y entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA499-O peut n'être marqué que A499-O.

Complémentaire du transistor 2SA499-O

Le transistor NPN complémentaire du 2SA499-O est le 2SC979-O.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA499-O

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA499-O par 2N2906, 2N2906A, 2N3250, 2N3496 ou BCY70.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com