Transistor bipolaire 2SA1170-O

Caractéristiques électriques du transistor 2SA1170-O

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -200 V
  • Tension collecteur-base maximum: -200 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -17 A
  • Dissipation de puissance maximum: 200 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: MT-200

Brochage du 2SA1170-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA1170-O peut avoir un gain en courant continu de 50 à 100. Le gain en courant continu du 2SA1170 est compris entre 50 à 140, celui du 2SA1170-Y entre 70 à 140.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1170-O peut n'être marqué que A1170-O.

Complémentaire du transistor 2SA1170-O

Le transistor NPN complémentaire du 2SA1170-O est le 2SC2774-O.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1170-O

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA1170-O par 2SA1295, 2SA1295-O, 2SA1494 ou 2SA1494-O.
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