Transistor bipolaire 2SA1170

Caractéristiques électriques du transistor 2SA1170

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -200 V
  • Tension collecteur-base maximum: -200 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -17 A
  • Dissipation de puissance maximum: 200 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 140
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: MT-200

Brochage du 2SA1170

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA1170 peut avoir un gain en courant continu de 50 à 140. Le gain en courant continu du 2SA1170-O est compris entre 50 à 100, celui du 2SA1170-Y entre 70 à 140.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1170 peut n'être marqué que A1170.

Complémentaire du transistor 2SA1170

Le transistor NPN complémentaire du 2SA1170 est le 2SC2774.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1170

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA1170 par 2SA1295 ou 2SA1494.
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