Transistor bipolaire 2SA1009A-L
Caractéristiques électriques du transistor 2SA1009A-L
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -400 V
- Tension collecteur-base maximum: -400 V
- Tension émetteur-base maximum: -7 V
- Courant collecteur continu maximum: -2 A
- Dissipation de puissance maximum: 15 W
- Gain de courant (hfe): 30 à 60
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
Brochage du 2SA1009A-L
Classification de hFE
Marquage
Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1009A-L
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