Transistor bipolaire 2SA1009-M

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -350 V
• Tension collecteur-base maximum: -350 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -2 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 40
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SA1009-M peut avoir un gain en courant continu de 20 à 40. Le gain en courant continu du 2SA1009 est compris entre 20 à 200, celui du 2SA1009-H entre 100 à 200, celui du 2SA1009-J entre 60 à 120, celui du 2SA1009-K entre 40 à 80, celui du 2SA1009-L entre 30 à 60.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1009-M peut n'être marqué que A1009-M.Vous pouvez remplacer le transistor 2SA1009-M par 2SA1009A, 2SA1009A-M, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 ou MJE5852G.