Transistor bipolaire 2SA1009-M

Caractéristiques électriques du transistor 2SA1009-M

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -350 V
  • Tension collecteur-base maximum: -350 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 15 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 40
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SA1009-M

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA1009-M peut avoir un gain en courant continu de 20 à 40. Le gain en courant continu du 2SA1009 est compris entre 20 à 200, celui du 2SA1009-H entre 100 à 200, celui du 2SA1009-J entre 60 à 120, celui du 2SA1009-K entre 40 à 80, celui du 2SA1009-L entre 30 à 60.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1009-M peut n'être marqué que A1009-M.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1009-M

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA1009-M par 2SA1009A, 2SA1009A-M, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 ou MJE5852G.
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