Transistor bipolaire 2SA1008M

Caractéristiques électriques du transistor 2SA1008M

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 15 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SA1008M

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA1008M peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SA1008 est compris entre 40 à 200, celui du 2SA1008K entre 100 à 200, celui du 2SA1008L entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1008M peut n'être marqué que A1008M.

Complémentaire du transistor 2SA1008M

Le transistor NPN complémentaire du 2SA1008M est le 2SC2331M.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1008M

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA1008M par 2N6475, 2N6476, 2SA1010, 2SA1010M, 2SB1016, 2SB1016-R, 2SB1090, 2SB1090-M, 2SB1367, 2SB1367-R, 2SB546, 2SB546-R, 2SB546A, 2SB546A-M, 2SB547, 2SB595, 2SB595-R, 2SB630, 2SB630-S, 2SB703A, 2SB703A-S, 2SB995, 2SB995-R, BD240C, BD242C, BD244C, BD540C, BD712, BD744C, BD802, BD912, BD940, BD940F, BD942, BD942F, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KSA1010R, KSB546, KSB546-R, KTB1367, KTB1367R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJF15031, MJF15031G ou NTE292.
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