Transistor bipolaire 2SA1006B-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SA1006B-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -250 V
  • Tension collecteur-base maximum: -250 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 25 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 80 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SA1006B-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA1006B-R peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SA1006B est compris entre 60 à 320, celui du 2SA1006B-P entre 160 à 320, celui du 2SA1006B-Q entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1006B-R peut n'être marqué que A1006B-R.

Complémentaire du transistor 2SA1006B-R

Le transistor NPN complémentaire du 2SA1006B-R est le 2SC2336B-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1006B-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA1006B-R par 2SA1009, 2SA1009-J, 2SA1009A, 2SA1009A-J, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 ou MJE5852G.
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